SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶體管

型號： SGCA100M1H

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGCA100M1H
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGCA100M1H提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性4GHz高功率應(yīng)用，50V操作。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGCA100M1H
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

型號參數(shù)
用于直流至4GHz的高功率GaN HEMT
高功率：110W@3.9GHz
高效率：48%@3.9GHz
CW可操作
輸入預(yù)匹配3.9GHz
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