SMC2933L1512R 高壓-大功率GaN HEMT 托盤(pán)放大器

GaN HEMT

型號(hào)： SMC2933L1512R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠(chǎng)家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) SMC2933L1512R
名稱(chēng) GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT托盤(pán)放大器SMC2933L1512R提供高功率大，效率高，易于匹配，覆蓋更一致2.9至3.3GHz，適用于50V操作的S波段脈沖應(yīng)用，以及高達(dá)300usec脈沖寬度的脈沖條件和高達(dá)10%的占空比。

型號(hào)規(guī)格
廠(chǎng)家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) SMC2933L1512R
名稱(chēng) GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

型號(hào)參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：引腳=6.3W（38dBm）時(shí)180W（典型值）
高效率：50%（典型值）@引腳=6.3W（38dBm）
功率增益：14.5dB（典型值）
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆

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