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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2302DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號： SI2302DS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

SI2302DS-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)參數(shù)說明：N溝道，20V，6A，導(dǎo)通電阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，門源電壓范圍8V(±V)，可調(diào)閾值電壓范圍0.45~1V，封裝：SOT23。


應(yīng)用簡介：SI2302DS-T1-GE3是一款中低電壓N溝道MOSFET，適用于電源開關(guān)、電機(jī)控制和穩(wěn)壓等應(yīng)用。
其低導(dǎo)通電阻和可調(diào)的閾值電壓使其在多種場景中具備靈活性。
優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻和可調(diào)的閾值電壓，適用于要求低電壓降和靈活性的領(lǐng)域，如電池管理、便攜式設(shè)備和LED驅(qū)動等模塊。
 

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