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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號： SI2319CDS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

SI2319CDS-T1-GE3-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)參數(shù)說明：P溝道，-30V，-5.6A，導(dǎo)通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。


應(yīng)用簡介：SI2319CDS-T1-GE3適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻，適用于要求低功率損耗和高效率的領(lǐng)域，如電源開關(guān)、穩(wěn)壓和逆變器等模塊。
 

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