SGN3133-260H-R 雷達用高壓大功率 GaN HEMT

GaN HEMT

型號： SGN3133-260H-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGN3133-260H-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R為50V工作的s波段雷達應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達200μsec脈沖寬度的長脈沖，占空比為10%。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGN3133-260H-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

型號參數(shù)
高功率：320W（典型）@引腳=22.9W（43.6dBm）
高效率：57%（典型值）@引腳=22.9W（43.6dBm）
寬帶：3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω

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