F658-5867-100A C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型號： F658-5867-100A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 F658-5867-100A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 I2F

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的F658-5867-100A是一種高功率GaN HEMT，內(nèi)部與標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶匹配，以提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 F658-5867-100A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 I2F

型號參數(shù)
高輸出功率：P5dB=50.5dBm（典型）
高線性增益：GL=13.5dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=45%（典型值）
寬帶：5.85至6.75GHz
密封包裝

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立年電子科技

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