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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SGN2933-600D-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT

型號(hào): SGN2933-600D-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) SGN2933-600D-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 M1B

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN2933-600D-R 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達(dá)脈沖條件的雷達(dá)應(yīng)用300μsec的脈沖寬度和高達(dá)10%的占空比。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    SGN2933-600D-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    M1B


型號(hào)參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:700W(典型值)@引腳=31.6W(45dBm)
高效率:50%(典型值)@引腳=31.6W(45dBm)
寬帶:2.9至3.3GHz
50歐姆配對(duì)

 

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