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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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UT3N06G-AE3-R-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào)： UT3N06G-AE3-R-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

UT3N06G-AE3-R-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UT3N06G-AE3-R (VB1695)參數(shù)說明：N溝道，60V，4A，導(dǎo)通電阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1~3V，封裝：SOT23。


應(yīng)用簡介：UT3N06G-AE3-R適用于功率開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用的N溝道MOSFET。
其中等功率特性使其在多種中低功率應(yīng)用中表現(xiàn)良好。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域模塊，特別適合中等功率要求的場景。
 

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