型號：FQD6N40CTM-VB
絲印：VBE165R07S
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：650V
- 最大持續(xù)電流：7A
- 開通電阻（RDS(ON)）：700mΩ @ 10Vgs
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 封裝類型：TO252
應用簡介：
FQD6N40CTM-VB是一款高耐壓N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），適用于需要處理高電壓和高功率的電子應用。以下是它的一些主要應用領域：
1. 開關電源模塊：這款MOSFET的高耐壓和合適的電流承受能力使其非常適合用于開關電源模塊，如開關穩(wěn)壓器和離線電源適配器，用于高效地轉(zhuǎn)換電源。
2. 電機驅(qū)動：FQD6N40CTM-VB可以用于電機驅(qū)動電路，如工業(yè)電機控制、電動汽車驅(qū)動和電動工具，以實現(xiàn)高功率的電機運行。
3. 電源逆變器：在需要高電壓逆變的應用中，例如太陽能逆變器和電動汽車逆變器，這款MOSFET可以用于電源逆變電路，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
4. 高電壓電源開關：由于其高耐壓特性，F(xiàn)QD6N40CTM-VB也可用于高電壓電源開關，用于控制電路的通斷狀態(tài)。
總之，F(xiàn)QD6N40CTM-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，適用于各種需要處理高電壓和高功率的電子應用。它在開關電源、電機驅(qū)動、電源逆變器和高電壓電源開關等模塊中都有廣泛的用途。
