型號：SI4948BEY-T1-E3-VB
絲印：VBA4658
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類型：2個P溝道
- 額定電壓（Vds）：-60V
- 最大持續(xù)電流（Id）：-5.3A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍（Vgs）：20V（正負）
- 閾值電壓范圍（Vth）：-1~-3V
- 封裝：SOP8
應(yīng)用簡介：
SI4948BEY-T1-E3-VB是一對P溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），同時包含兩個P溝道MOSFET。它適用于需要負向電壓操作的電子應(yīng)用，如電源開關(guān)、電池保護和負載開關(guān)。
詳細參數(shù)說明：
1. **類型**：這是一對P溝道MOSFET，同時包含兩個P溝道MOSFET。P溝道MOSFET在輸入負向電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。
2. **額定電壓（Vds）**：它可以承受的最大漏極-源極電壓為-60V。這表示在正常工作條件下，其電壓可以是負向的，但應(yīng)不超過-60V。
3. **最大持續(xù)電流（Id）**：這對P溝道MOSFET的每個MOSFET的最大電流承受能力為-5.3A。負號表示電流流向是從源到漏極。
4. **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為58mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對較低。
5. **門源電壓范圍（Vgs）**：MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。
6. **閾值電壓范圍（Vth）**：這對P溝道MOSFET的每個MOSFET的閾值電壓范圍為-1~-3V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓范圍。
7. **封裝**：這對P溝道MOSFET采用SOP8封裝，這是一種常見的封裝類型，適用于多種電路應(yīng)用。
應(yīng)用領(lǐng)域：
SI4948BEY-T1-E3-VB這對P溝道MOSFET適用于多種需要負向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊：
1. **電池保護**：可用于電池保護電路，以確保電池不過充電或過放電。
2. **電源開關(guān)**：可用于負向電壓電源開關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。
3. **負載開關(guān)**：用于控制負載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動工具和電子設(shè)備。
4. **電池充放電**：用于電池充電和放電管理電路，以確保安全和高效的電池使用。
總之，這對P溝道MOSFET適用于需要負向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能。它們特別適用于電池保護和負載開關(guān)應(yīng)用。
