型號(hào)：SI2371EDS-T1-GE3-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類型：P溝道
- 額定電壓（Vds）：-30V
- 最大持續(xù)電流（Id）：-5.6A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍（Vgs）：20V（正負(fù)）
- 閾值電壓（Vth）：-1V
- 封裝：SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
SI2371EDS-T1-GE3-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子應(yīng)用。它在電源開(kāi)關(guān)、電池管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
1. **類型**：這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負(fù)向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要負(fù)向電壓操作的電路中。

2. **額定電壓（Vds）**：它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負(fù)向電壓條件下工作。

3. **最大持續(xù)電流（Id）**：這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.6A。負(fù)號(hào)表示電流流向是從源到漏極。

4. **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為47mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對(duì)較低。

5. **門源電壓范圍（Vgs）**：MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來(lái)控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6. **閾值電壓（Vth）**：這款MOSFET的閾值電壓為-1V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。

7. **封裝**：這款MOSFET采用SOT23封裝，這是一種常見(jiàn)的小型封裝類型，適用于緊湊的電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用領(lǐng)域：
SI2371EDS-T1-GE3-VB這款MOSFET適用于多種需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊：

1. **電源開(kāi)關(guān)**：可用于低電阻負(fù)向電壓電源開(kāi)關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。

2. **電池管理**：可用于電池充電和放電管理，以確保安全和高效的電池使用。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**：用于控制負(fù)載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動(dòng)工具和電子設(shè)備。

4. **電源保護(hù)**：可用于電源保護(hù)電路，以防止過(guò)流、過(guò)壓等異常情況。

5. **電流控制**：可用于電流控制電路，如電池充電器和電流放大器。

總之，這款P溝道MOSFET適用于需要低導(dǎo)通電阻和負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在需要負(fù)向電壓操作的應(yīng)用中。