--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:SI4425DY-T1-E3-VB
絲?。篤BA2311
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大連續(xù)電流:-11A
- 靜態(tài)開啟電阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):-1.42V
- 封裝類型:SOP8

應(yīng)用簡介:
SI4425DY-T1-E3-VB 是一款P溝道功率MOSFET,適用于需要負(fù)載開關(guān)和功率控制的電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊:
1. **電源開關(guān)模塊**:該MOSFET可用于電源開關(guān)模塊,以實現(xiàn)電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。它具有高電壓和電流承受能力,適用于中等功率應(yīng)用。
2. **電池保護(hù)模塊**:在電池供電系統(tǒng)中,SI4425DY-T1-E3-VB 可用于電池保護(hù)電路,以防止過放電和過充電。其高電壓額定值使其適用于處理高電壓電池。
3. **電機控制模塊**:該MOSFET可用于電機控制模塊,如直流電機驅(qū)動、步進(jìn)電機驅(qū)動和無刷直流電機驅(qū)動。它可以用于電機的速度和方向控制。
4. **開關(guān)電源模塊**:在開關(guān)電源中,SI4425DY-T1-E3-VB 可用于實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,以供應(yīng)電子設(shè)備所需的不同電壓。
5. **LED驅(qū)動模塊**:在LED照明系統(tǒng)中,該MOSFET可用于驅(qū)動LED,以實現(xiàn)亮度控制和顏色調(diào)節(jié)。
這些是一些可能用到 SI4425DY-T1-E3-VB P溝道MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理負(fù)載開關(guān)和功率控制的中等功率應(yīng)用,尤其是在需要高電壓額定值的場合。在實際應(yīng)用中,請務(wù)必遵守數(shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件,以確保最佳性能和可靠性。
為你推薦
-
IPP120N06N G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:34
產(chǎn)品型號:IPP120N06N G-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:60V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
IPP120N04S4-02-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:28
產(chǎn)品型號:IPP120N04S4-02-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:3V -
IPP120N04S4-01-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:26
產(chǎn)品型號:IPP120N04S4-01-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:3V -
IPP120N04S3-02-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:24
產(chǎn)品型號:IPP120N04S3-02-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:3V -
IPP11N03LA-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:21
產(chǎn)品型號:IPP11N03LA-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
IPP114N12N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:16
產(chǎn)品型號:IPP114N12N3 G-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
IPP114N03L G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:10
產(chǎn)品型號:IPP114N03L G-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
IPP111N15N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:08
產(chǎn)品型號:IPP111N15N3 G-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:150V VGS:20(±V) Vth:3V -
IPP110N20NA-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 17:03
產(chǎn)品型號:IPP110N20NA-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:200V VGS:20(±V) Vth:4V -
IPP110N20N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管2025-08-28 16:38
產(chǎn)品型號:IPP110N20N3 G-VB Package:TO220 Configurat:Single-N-Channel VDS:200V VGS:20(±V) Vth:4V