--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):SI4825DDY-T1-E3-VB
絲?。篤BA2311
品牌:VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 額定電壓:-30V
- 最大電流:-11A
- 開態(tài)電阻 (RDS(ON)):10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-1.42V
- 封裝:SOP8

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
SI4825DDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET,適用于負(fù)極性電壓應(yīng)用,具有低開態(tài)電阻和高電流特性。這款MOSFET適用于需要負(fù)電壓開關(guān)和控制的領(lǐng)域。
主要特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源逆變器**:SI4825DDY-T1-E3-VB可用于電源逆變器,將正電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)電壓,適用于一些特殊應(yīng)用,如負(fù)電壓電源系統(tǒng)。
2. **電流控制**:這款MOSFET可用于負(fù)電流控制,例如電流源、電流控制器和電流放大器,用于實(shí)現(xiàn)精確的電流調(diào)控。
3. **負(fù)極性電源管理**:在特殊應(yīng)用中,需要負(fù)極性電源管理,SI4825DDY-T1-E3-VB可以用于實(shí)現(xiàn)電源開關(guān)和控制。
4. **電池保護(hù)**:在移動(dòng)設(shè)備和電池供電系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電池保護(hù)電路,確保電池充電和放電過程中的安全性和穩(wěn)定性。
5. **負(fù)電壓電源調(diào)節(jié)器**:SI4825DDY-T1-E3-VB可用于負(fù)電壓電源調(diào)節(jié)器,用于調(diào)整負(fù)載的電流和電壓。
總之,SI4825DDY-T1-E3-VB適用于多個(gè)領(lǐng)域,包括電源逆變器、電流控制、負(fù)極性電源管理、電池保護(hù)和負(fù)電壓電源調(diào)節(jié)器等模塊。其P溝道特性和低開態(tài)電阻等特性使其成為處理負(fù)電壓應(yīng)用的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛