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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR1018ETRPBF-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: IRFR1018ETRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:IRFR1018ETRPBF-VB
絲印:VBE1615
品牌:VBsemi
參數(shù):
- N溝道
- 最大耐壓:60V
- 最大漏電流:60A
- 靜態(tài)導通電阻(RDS(ON)):9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):1.87V
- 封裝:TO252

應用簡介:
IRFR1018ETRPBF-VB是一款N溝道場效應晶體管,適用于高功率電子應用。它具有低導通電阻和耐壓特性,適用于要求高電流和高功率的電子系統(tǒng)。

領域模塊應用:
1. 電源開關模塊:IRFR1018ETRPBF-VB可用于電源開關應用,如高功率電源開關和電源轉換器。
2. 電機驅動器:在高功率電機驅動應用中,它能夠提供所需的高電流和高效率。
3. 高功率放大器:適用于音頻放大器、RF放大器等高功率放大器模塊。

這些特性使IRFR1018ETRPBF-VB在高功率電子系統(tǒng)中有廣泛的應用。

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