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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2314EDS-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

型號: SI2314EDS-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:SI2314EDS-T1-E3-VB
絲印:VB1240
品牌:VBsemi
參數(shù):
- N溝道
- 最大耐壓:20V
- 最大漏電流:6A
- 靜態(tài)導通電阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):0.45V to 1V
- 封裝:SOT23

應用簡介:
SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N溝道場效應晶體管,適用于低功率電子應用。它具有適度的導通電阻和耐壓特性,適合用于小型電子系統(tǒng)。

領域模塊應用:
1. 電源開關模塊:SI2314EDS-T1-E3-VB可用于低功率電源開關應用,如便攜式電子設備和電池供電設備。
2. 信號開關:適用于低功率信號開關和控制電路,如小型開關電路和信號切換器。
3. 低功耗模塊:在需要低功耗的模塊中,如傳感器節(jié)點、小型控制器,可發(fā)揮作用。

這些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率電子應用中有廣泛的應用。

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