型號(hào): FQD2N60C-VB
絲印: VBE165R02
品牌: VBsemi
參數(shù):
- N溝道
- 額定電壓：650V
- 最大電流：2A
- 開(kāi)通電阻：4300mΩ @ 10V, 3440mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓：2V (Vth)
- 封裝：TO252

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
FQD2N60C-VB是一款高壓N溝道MOSFET器件，適用于多種高電壓應(yīng)用。這款器件可以在以下應(yīng)用模塊中發(fā)揮作用：

1. 電源開(kāi)關(guān)模塊: FQD2N60C-VB可用于高壓電源開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、逆變器等，以提供高效的電源管理和電源轉(zhuǎn)換。

2. 照明驅(qū)動(dòng)模塊: 適用于高壓LED驅(qū)動(dòng)和照明系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)高效的LED亮度控制和照明管理。

3. 高壓開(kāi)關(guān)模塊: 用于高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如電磁繼電器和高壓開(kāi)關(guān)電路。

4. 電源逆變器: 在太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電器等高壓逆變器中發(fā)揮作用。

FQD2N60C-VB由于其高電壓承受能力，適用于需要高電壓開(kāi)關(guān)、電源管理和電源轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域，為系統(tǒng)提供高性能和高效能的電源解決方案。