--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào):AP9435GH-VB
絲?。篤BE2338
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-30V
- 額定電流:-26A
- 開通電阻(RDS(ON)):33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V
- 門極-源極閾值電壓范圍(Vth):-1.3V
- 門極驅(qū)動(dòng)電壓范圍:±20V
- 封裝類型:TO252

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
AP9435GH-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于多種高電流和高功率電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,其中這種MOSFET可能被廣泛使用:
1. **電源模塊**:這款MOSFET可用于高電流電源模塊,如開關(guān)電源、電源逆變器和穩(wěn)壓器。它具有低導(dǎo)通電阻,適合高功率應(yīng)用,能夠有效地控制功率開關(guān),提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)控制應(yīng)用中,AP9435GH-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,以控制電機(jī)的啟停、速度和方向,特別是在需要高電流的應(yīng)用中,如工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)車輛。
3. **電源開關(guān)**:這種MOSFET可用于電源開關(guān)應(yīng)用,包括直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器和電源逆變器,以實(shí)現(xiàn)高效的電源控制和電壓轉(zhuǎn)換。
4. **電動(dòng)車充電器**:對(duì)于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車輛,這種MOSFET可以用于充電器電路,以有效地管理電池充電過程,以確保充電安全和高效。
總的來說,AP9435GH-VB是一款高性能的P溝道MOSFET,適用于高電流、高功率和高壓電子應(yīng)用。它在電源電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源開關(guān)和電動(dòng)車充電器等多個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛