型號：IPD60R3K3C6-VB
絲印：VBE165R04
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- N溝道
- 最大耐壓：650V
- 最大電流：4A
- 靜態(tài)導通電阻：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓：3.5V
- 封裝：TO252

**詳細參數(shù)說明：**
IPD60R3K3C6-VB是一款N溝道MOSFET，最大耐壓為650V，最大電流為4A。其靜態(tài)導通電阻在不同電壓下表現(xiàn)如下：在10V下為2200mΩ，在4.5V下為2750mΩ，驅(qū)動電壓范圍為±20V。閾值電壓為3.5V。該器件采用TO252封裝，有著適中的尺寸和散熱性能。

**應(yīng)用簡介：**
IPD60R3K3C6-VB適用于多種領(lǐng)域的模塊，包括但不限于：
1. **電源開關(guān)模塊**：由于其較高的耐壓和適中的電流能力，它可用于電源開關(guān)和開關(guān)模式電源供應(yīng)模塊，有助于提高電能轉(zhuǎn)換效率。

2. **逆變器和開關(guān)電源**：在逆變器和開關(guān)電源中，該器件可以實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和控制，適用于太陽能逆變器、電動汽車充電器等應(yīng)用。

3. **電機驅(qū)動**：可用于電機控制和驅(qū)動模塊，如電動汽車、工業(yè)機械和家用電器中的電機控制。

4. **電池充放電保護**：在電池管理系統(tǒng)中，它可以用于電池充放電保護和電流控制，確保電池的安全性和性能。

總之，IPD60R3K3C6-VB適用于需要高耐壓和適中電流能力的N溝道MOSFET的多種領(lǐng)域，包括電源管理、逆變器、電機驅(qū)動和電池管理等領(lǐng)域。其性能參數(shù)使其成為許多電子模塊的理想選擇。