chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 77 粉絲

STS7NF60L-VB一款N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: STS7NF60L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:STS7NF60L-VB
絲?。篤BA1615
品牌:VBsemi
參數(shù):
- N溝道 MOSFET
- 額定電壓:60V
- 最大持續(xù)電流:12A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 14mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs):最大±20V
- 閾值電壓 (Vth):1.8V
封裝:SOP8

詳細(xì)參數(shù)說明:
STS7NF60L-VB是一款N溝道MOSFET,專為低電壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它的額定電壓為60V,可以持續(xù)承受高達(dá)12A的電流。該MOSFET具有卓越的導(dǎo)通特性,其靜態(tài)導(dǎo)通電阻在10V電壓下為12mΩ,而在4.5V電壓下為14mΩ。這低的電阻有助于減小功耗和熱量,使其適用于需要高效能耗的應(yīng)用。

STS7NF60L-VB的門源極電壓(Vgs)范圍廣泛,最大可達(dá)±20V,具有良好的控制特性。其閾值電壓(Vth)為1.8V,可在不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)精確的控制。

應(yīng)用簡介:
STS7NF60L-VB廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理模塊**:該MOSFET適用于低電壓電源管理,用于電池管理、充電和放電控制,以及功率因子校正。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其高電流承受能力,可用于電機(jī)控制,如電動(dòng)汽車電機(jī)控制、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
3. **DC-DC變換器**:STS7NF60L-VB的低導(dǎo)通電阻和高效性能使其成為DC-DC變換器的理想選擇,可用于電源適配器和能量轉(zhuǎn)換器。
4. **電源開關(guān)**:適用于各種類型的電源開關(guān),如電源開關(guān)模塊(PSU)和逆變器。

綜上所述,STS7NF60L-VB是一款多功能的N溝道MOSFET,適用于各種低電壓、高電流的應(yīng)用,為電源管理、電機(jī)控制和DC-DC變換器等模塊提供高性能和可靠性的解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    144瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    122瀏覽量