型號：RSR025P03TL-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- P溝道
- 最大耐壓：-30V
- 最大電流：-5.6A
- 靜態(tài)導通電阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓：-1V
- 封裝：SOT23
**詳細參數(shù)說明：**
RSR025P03TL-VB是一款P溝道MOSFET，最大耐壓為-30V，最大電流為-5.6A。其靜態(tài)導通電阻在不同電壓下表現(xiàn)如下：在10V下為47mΩ，在4.5V下為56mΩ，驅動電壓范圍為±20V。閾值電壓為-1V。該器件采用SOT23封裝，適合在有限空間內使用。
**應用簡介：**
RSR025P03TL-VB適用于多種領域的模塊，包括但不限于：
1. **電源管理模塊**：由于其低導通電阻和適中的耐壓特性，它可用于電源開關、電流控制和電源管理模塊，有助于提高電能轉換效率。
2. **電池充放電保護**：在電池管理系統(tǒng)中，它可以用于電池充放電保護和電流控制，確保電池的安全性和性能。
3. **開關電源**：適用于小型開關電源、手機充電器、便攜式設備充電器等。
4. **電機驅動**：可用于小型電機控制和驅動模塊，如小型風扇、電動工具等。
總之，RSR025P03TL-VB適用于需要低電壓驅動和適中電流能力的P溝道MOSFET的多種領域，包括電源管理、電池管理、開關電源和電機驅動等領域。其性能參數(shù)使其成為許多電子模塊的理想選擇。
