--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào): STD35NF06LT4-VB
絲印: VBE1615
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 60V, 60A, RDS(ON) 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.87Vth (V)
封裝: TO252
詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
1. 溝道類型:N溝道
- 這表示這個(gè)場效應(yīng)晶體管 (FET) 是一種N溝道MOSFET,通常用于負(fù)載開關(guān)和功率放大器。
2. 額定電壓 (VDS):60V
- 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓,超過這個(gè)電壓可能導(dǎo)致器件損壞。
3. 額定電流 (ID):60A
- 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的最大電流負(fù)載。
4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
- RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為9mΩ,而在4.5V的情況下為11mΩ。這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的電阻非常低,使其在高電流負(fù)載中能夠有效地減小功耗和熱量。
5. 閘源閾值電壓 (Vth):1.87V
- Vth是溝道MOSFET的閾值電壓,即需要應(yīng)用到柵極上的電壓,以使器件開始導(dǎo)通。在這種情況下,閾值電壓為1.87V。
6. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
- 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。這是用來控制溝道MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

應(yīng)用簡介:
這種型號(hào)的N溝道MOSFET通常用于各種電子和電源應(yīng)用中,包括但不限于:
1. 電源開關(guān):它可以用于電源開關(guān)模塊,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器,以有效地管理和控制電能的流動(dòng)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這種MOSFET可以用來控制電機(jī)的速度和方向。
3. 電源放大器:它可以用作功率放大器,增強(qiáng)電信號(hào)的幅度,通常在音頻放大器中使用。
4. 電源管理:用于電源管理系統(tǒng)中,以實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定化。
總之,這種型號(hào)的MOSFET可用于多種領(lǐng)域的電子設(shè)備和模塊,以滿足功率開關(guān)和控制的需求。
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