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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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FR1205-VB場效應(yīng)管一款N溝道TO252封裝的晶體管

型號: FR1205-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: FR1205-VB
絲印: VBE1638
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 60V, 45A, RDS(ON) 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.8Vth (V)
封裝: TO252

詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
1. 溝道類型:N溝道
  - 這表示這是一種N溝道MOSFET,通常用于電子設(shè)備中,特別是需要控制正電壓電源的應(yīng)用。

2. 額定電壓 (VDS):60V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓,表示它適用于需要處理高達60V的電路。

3. 額定電流 (ID):45A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的大電流負載。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為24mΩ,而在4.5V的情況下為28mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的電阻非常低,有助于減小功耗和熱量。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

6. 閾值電壓 (Vth):1.8V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓,表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓,以使器件開始導(dǎo)通。

應(yīng)用簡介:
這種型號的N溝道MOSFET適用于多種高功率應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:

1. 電源開關(guān):這種MOSFET可用于高功率電源開關(guān)模塊,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器,以實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. 電機控制:它可用于高功率電機驅(qū)動和控制,因為它可以處理大電流負載。
3. 電源逆變器:在太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)中,N溝道MOSFET可用于控制電能的流向。
4. 高功率放大器:在高功率音頻放大器和高頻放大器中,它可以用于功率放大。

總之,這種型號的N溝道MOSFET適用于需要處理高功率和高電流負載的領(lǐng)域,以滿足功率開關(guān)和電源管理的需求,特別是需要處理正電壓電源的高功率應(yīng)用。由于其低漏極-源極電阻和高額定電流,適用于高功率應(yīng)用。

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