型號(hào)：AP4525GEH-VB
絲印：VBE5415
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類(lèi)型：N+P溝道
- 額定電壓：±40V
- 最大持續(xù)電流：50A / -50A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：15mΩ @ 10V, 18.75mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：±1V
- 封裝：TO252-5

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：
AP4525GEH-VB 是一款具有 N+P 溝道的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，可同時(shí)操控正負(fù)電壓，具有±40V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為50A / -50A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 15mΩ @ 10V 和 18.75mΩ @ 4.5V。閾值電壓 (Vth) 為±1V。

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
AP4525GEH-VB 通常用于電源管理、電源開(kāi)關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，特別適用于需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的電路。具有 N+P 溝道的特性使其非常適合用于電源開(kāi)關(guān)、電源逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電池保護(hù)電路等各種領(lǐng)域的模塊。TO252-5 封裝使其易于集成到各種電子設(shè)備和電路中。這種型號(hào)的 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，適用于需要高功率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用，尤其是需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的電路設(shè)計(jì)。