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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ZXMN6A07FTA-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

型號(hào): ZXMN6A07FTA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): ZXMN6A07FTA-VB
絲印: VB1695
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 60V, 4A, RDS(ON) 85mΩ @ 10V, 96mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1~3Vth (V)
封裝: SOT23

詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
1. 溝道類型:N溝道
  - 這表示這是一種N溝道MOSFET,通常用于電子設(shè)備中,特別是需要控制正電壓電源的應(yīng)用。

2. 額定電壓 (VDS):60V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓,表示它適用于需要處理高達(dá)60V的電路。

3. 額定電流 (ID):4A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的中等電流負(fù)載。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為85mΩ,而在4.5V的情況下為96mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的電阻相對(duì)較低,有助于減小功耗和熱量。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

6. 閾值電壓 (Vth):1~3V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓范圍,表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓,以使器件開始導(dǎo)通。

應(yīng)用簡介:
這種型號(hào)的N溝道MOSFET適用于多種中功率應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:

1. 電源開關(guān):這種MOSFET可用于中功率電源開關(guān)模塊,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器,以實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. 電池管理:它可用于電池保護(hù)電路,以控制電池充放電和防止過放電。
3. 電源選擇和開關(guān):它可以用于電源選擇器和電源開關(guān),以在不同電源之間切換。
4. 負(fù)載開關(guān):在需要控制中等電流負(fù)載的應(yīng)用中,如電機(jī)控制,它可以用作負(fù)載開關(guān)。

總之,這種型號(hào)的N溝道MOSFET適用于需要處理中等電流負(fù)載的領(lǐng)域,以滿足功率開關(guān)和電源管理的需求,特別是需要處理正電壓電源的中功率應(yīng)用。由于其低漏極-源極電阻,適用于中功率應(yīng)用。

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