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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AP2306AGN-VB場效應管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

型號: AP2306AGN-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:AP2306AGN-VB
絲?。篤B1330
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 封裝類型:SOT23
- 溝道類型:N—Channel
- 最大漏電壓(Vds):30V
- 最大漏極電流(Id):6.5A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V

封裝:SOT23

應用簡介:
AP2306AGN-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,適用于多種電路和模塊設計,特別是在需要高性能N-Channel MOSFET的應用中。

領域模塊應用:
1. **電源模塊:** 適用于開關電源、電源逆變器等模塊設計,能夠提供高效的電能轉換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電機驅動模塊:** 由于其高電流和低漏電壓特性,可用于電機驅動和控制模塊,提供可靠的電流輸出和驅動性能。

3. **LED照明模塊:** 在LED驅動電路中,AP2306AGN-VB可以用于開關電源設計,以實現(xiàn)高效的LED照明系統(tǒng)。

4. **電池保護模塊:** 用于電池充放電管理電路,提供高效的電池管理和保護功能。

5. **電流控制模塊:** 適用于需要對電流進行精確控制的模塊,如電流源、電流放大器等。

請注意,以上是一些典型的應用場景,實際使用時需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進行選擇和設計。在集成AP2306AGN-VB時,建議仔細閱讀其數(shù)據(jù)手冊以獲取詳細的電特性和操作信息。

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