型號：FDP047AN08A0-VB
絲?。篤BM1808
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 封裝類型：TO220
- 溝道類型：N—Channel
- 最大漏電壓（Vds）：80V
- 最大漏極電流（Id）：100A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：2.7V

封裝：TO220

應用簡介：
FDP047AN08A0-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，適用于高功率、高電流的電路和模塊設計，特別是在需要大電流開關和高性能N-Channel MOSFET的應用中。

領域模塊應用：
1. **電源模塊：** 適用于高功率開關電源、電源逆變器等模塊設計，能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電機驅(qū)動模塊：** 由于其高電流和低漏電壓特性，可用于電機驅(qū)動和控制模塊，提供可靠的電流輸出和驅(qū)動性能，尤其在需要較高功率的應用中。

3. **電池保護模塊：** 用于電池充放電管理電路，提供高效的電池管理和保護功能。

4. **高功率LED照明模塊：** 在需要高亮度和高功率的LED照明系統(tǒng)中，F(xiàn)DP047AN08A0-VB可以用于開關電源設計，以實現(xiàn)高效的LED照明。

5. **電流控制模塊：** 適用于需要對電流進行精確控制的高功率模塊，如電流源、電流放大器等。

請注意，以上是一些典型的高功率應用場景，實際使用時需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進行選擇和設計。在集成FDP047AN08A0-VB時，建議仔細閱讀其數(shù)據(jù)手冊以獲取詳細的電特性和操作信息。