--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào): 2SJ182S-VB
絲印: VBE2610N
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 封裝: TO252
- 溝道類(lèi)型: P—Channel
- 額定電壓(V): -60V
- 額定電流(A): -38A
- 開(kāi)態(tài)電阻(RDS(ON)): 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.3V
封裝: TO252
重新生成的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:
2SJ182S-VB是一款P—Channel溝道MOSFET,采用TO252封裝。其主要參數(shù)包括-60V的額定電壓,-38A的額定電流,以及在不同門(mén)源電壓下的開(kāi)態(tài)電阻。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **額定電壓(V):** -60V - 這表示器件能夠在-60V的電壓下正常工作。這是一個(gè)P—Channel MOSFET,所以其額定電壓為負(fù)值。
2. **額定電流(A):** -38A - 這表示器件可以承受的最大電流為-38安培。
3. **開(kāi)態(tài)電阻(RDS(ON)):** 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 這表示在不同的門(mén)源電壓下,器件的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的電阻。在這個(gè)例子中,當(dāng)門(mén)源電壓為10V或20V時(shí),開(kāi)態(tài)電阻為61毫歐姆。
4. **閾值電壓(Vth):** -1.3V - 這是器件的閾值電壓,即MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通的門(mén)源電壓。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
2SJ182S-VB適用于多種領(lǐng)域的電源和開(kāi)關(guān)電路,具體包括但不限于:
1. **音頻放大器:** 由于其P—Channel溝道特性,適用于音頻放大器電路中。
2. **電源開(kāi)關(guān):** 用于電源開(kāi)關(guān)電路,例如直流-直流(DC-DC)變換器。
3. **電池管理:** 可用于便攜設(shè)備和電池供電系統(tǒng),有效控制電流和電壓。
4. **音頻放大器:** 由于其低開(kāi)態(tài)電阻,適用于需要高電流和低失真的音頻放大器。
總的來(lái)說(shuō),2SJ182S-VB是一款中功率P—Channel MOSFET,適用于需要中等電流和低開(kāi)態(tài)電阻的各種電源和開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用,特別在需要較低額定電壓和中功率的場(chǎng)合,如音頻放大器、電源管理、電池管理等領(lǐng)域。
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