--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:CES2305-VB
絲?。篤B2290
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 封裝類型:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 最大漏電壓(Vds):-20V
- 最大漏極電流(Id):-4A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓(Vth):-0.81V
封裝:SOT23

應(yīng)用簡介:
CES2305-VB是一款P-Channel溝道MOSFET,適用于多種電路和模塊設(shè)計(jì),特別是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和小型化應(yīng)用中。
領(lǐng)域模塊應(yīng)用:
1. **電源管理模塊:** 適用于電源管理電路,例如低功耗開關(guān)電源、便攜式電源等,以實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和能量管理。
2. **電池保護(hù)模塊:** 用于電池充放電管理電路,提供高效的電池管理和保護(hù)功能。
3. **信號開關(guān)模塊:** 在一些需要模擬開關(guān)功能的電路設(shè)計(jì)中,如信號開關(guān)、模擬開關(guān)電源等。
4. **小型化設(shè)備:** 由于其小型封裝和低功耗特性,適用于小型化設(shè)備設(shè)計(jì),如便攜式電子設(shè)備、傳感器節(jié)點(diǎn)等。
5. **模擬電路:** 在一些需要P-Channel MOSFET的模擬電路中,CES2305-VB可用于實(shí)現(xiàn)高性能的模擬信號處理。
請注意,以上是一些典型的應(yīng)用場景,實(shí)際使用時(shí)需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。在集成CES2305-VB時(shí),建議仔細(xì)閱讀其數(shù)據(jù)手冊以獲取詳細(xì)的電特性和操作信息。
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