型號：RU1HE12L-VB
絲?。篤BE1101M
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 封裝類型：TO252
- 溝道類型：N—Channel
- 最大漏電壓（Vds）：100V
- 最大漏極電流（Id）：18A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：1.6V

封裝：TO252

應(yīng)用簡介：
RU1HE12L-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，適用于多種電路和模塊設(shè)計，特別是在需要高性能N-Channel MOSFET的應(yīng)用中。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用：
1. **電源模塊：** 適用于開關(guān)電源、電源逆變器等模塊設(shè)計，能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電機(jī)驅(qū)動模塊：** 由于其高電流和低漏電壓特性，可用于電機(jī)驅(qū)動和控制模塊，提供可靠的電流輸出和驅(qū)動性能。

3. **電池保護(hù)模塊：** 用于電池充放電管理電路，提供高效的電池管理和保護(hù)功能。

4. **LED照明模塊：** 在需要高亮度和高功率的LED照明系統(tǒng)中，RU1HE12L-VB可以用于開關(guān)電源設(shè)計，以實現(xiàn)高效的LED照明。

5. **電流控制模塊：** 適用于需要對電流進(jìn)行精確控制的模塊，如電流源、電流放大器等。

請注意，以上是一些典型的應(yīng)用場景，實際使用時需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進(jìn)行選擇和設(shè)計。在集成RU1HE12L-VB時，建議仔細(xì)閱讀其數(shù)據(jù)手冊以獲取詳細(xì)的電特性和操作信息。