型號: AP0603GH-VB

絲印: VBE1303

品牌: VBsemi

參數:
- 封裝類型: TO252
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 30V
- 最大電流: 100A
- 開態(tài)電阻: RDS(ON) = 2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.9V

封裝: TO252

**詳細參數說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** TO252，表明該器件使用TO252封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** N-Channel，指示這是一個N溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** 30V，說明器件能夠正常工作的最大電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** 100A，表示器件能夠承受的最大電流。
5. **開態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，說明在特定的柵源電壓下，開態(tài)時的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = 1.9V，表示在柵源電壓作用下，器件從關態(tài)切換到開態(tài)所需的電壓。

**應用簡介:**
AP0603GH-VB是一款高功率N-Channel MOSFET，適用于多種高電流應用領域，包括但不限于：
1. **電源開關:** 適用于高功率電源開關和穩(wěn)壓器，提供高效的電流控制。
2. **電機驅動:** 適用于高功率直流電機和步進電機的驅動電路。
3. **電源逆變器:** 用于高功率太陽能逆變器和其他高功率電源逆變器，提供高效的能量轉換。
4. **電源管理模塊:** 適用于高功率電源管理應用，如電源適配器、電池管理等。

請注意，在具體設計中應仔細參考該器件的數據手冊以及應用手冊，以確保正確的使用和性能。