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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI7884BDP-T1-GE3-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款N溝道DFN8(5X6)封裝的晶體管

型號(hào): SI7884BDP-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 DFN8(5X6)封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):SI7884BDP-T1-GE3-VB

絲印:VBQA1405

品牌:VBsemi

封裝:DFN8(5X6)

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **溝道類(lèi)型(Channel Type):** N—Channel
- **最大漏電流(Maximum Drain Current):** 75A
- **最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** 40V
- **導(dǎo)通電阻(On-Resistance):** RDS(ON)=4.7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Gate Threshold Voltage):** Vth=1.9V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SI7884BDP-T1-GE3-VB是一款N—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有高漏電流、低漏電壓、低導(dǎo)通電阻等卓越性能。采用DFN8(5X6)標(biāo)準(zhǔn)封裝,適用于多種電子應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. **電源開(kāi)關(guān)模塊:** 由于SI7884BDP-T1-GE3-VB的N—Channel結(jié)構(gòu),適用于電源開(kāi)關(guān)模塊,實(shí)現(xiàn)高效的電源控制和管理。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊:** 由于其高漏電流和低導(dǎo)通電阻,可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,確保電機(jī)運(yùn)行時(shí)的高效性能。

3. **電源逆變器模塊:** 適用于電源逆變器模塊,用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,例如用于太陽(yáng)能逆變器。

4. **高電流負(fù)載開(kāi)關(guān)模塊:** 由于75A的最大漏電流,可用于高電流負(fù)載開(kāi)關(guān)模塊,如電源開(kāi)關(guān)電路、高功率LED驅(qū)動(dòng)等。

**使用注意事項(xiàng):**
- 請(qǐng)按照廠家提供的規(guī)格書(shū)和應(yīng)用指南使用,并確保工作條件在組件的規(guī)定范圍內(nèi)。
- 確保電路設(shè)計(jì)合理,以防過(guò)電流、過(guò)電壓等情況對(duì)器件造成損害。
- 注意適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì),特別是在高功率應(yīng)用中,以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 遵循焊接和封裝的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),確保器件與電路板的可靠連接。

以上是一般性的建議,具體使用時(shí)應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況和應(yīng)用要求進(jìn)行詳細(xì)考慮。

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