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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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CEG8205-VB場效應(yīng)管一款2個(gè)N溝道TSSOP8封裝的晶體管

型號: CEG8205-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TSSOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:CEG8205-VB

絲?。篤BC6N2022

品牌:VBsemi

封裝:TSSOP8

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **溝道類型(Channel Type):** 2個(gè)N—Channel
- **最大漏電流(Maximum Drain Current):** 4.8/4.8A (雙通道)
- **最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** 20V
- **導(dǎo)通電阻(On-Resistance):** RDS(ON)=20/22mΩ @ VGS=4.5V, VGS=15V
- **閾值電壓(Gate Threshold Voltage):** Vth=0.6~2V

**應(yīng)用簡介:**
CEG8205-VB是一款雙通道N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管,具有低漏電流、低漏電壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性。采用TSSOP8標(biāo)準(zhǔn)封裝,適用于多種電子應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. **電源開關(guān)模塊:** 由于CEG8205-VB的雙通道N—Channel結(jié)構(gòu),適用于電源開關(guān)模塊,實(shí)現(xiàn)高效的電源控制和管理。

2. **電流控制模塊:** 由于其低漏電流和低導(dǎo)通電阻,可用于電流控制模塊,確保對負(fù)載電流的精準(zhǔn)控制。

3. **電池保護(hù)模塊:** 適用于電池保護(hù)電路,提供對電池的有效保護(hù),特別是在雙通道設(shè)計(jì)中。

4. **功率逆變器模塊:** 適用于功率逆變器模塊,用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,如太陽能逆變器。

**使用注意事項(xiàng):**
- 請按照廠家提供的規(guī)格書和應(yīng)用指南使用,并確保工作條件在組件的規(guī)定范圍內(nèi)。
- 確保電路設(shè)計(jì)合理,以防過電流、過電壓等情況對器件造成損害。
- 注意適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì),特別是在高功率應(yīng)用中,以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 遵循焊接和封裝的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),確保器件與電路板的可靠連接。

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