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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI2303CDS-T1-GE3-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號(hào): SI2303CDS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): SI2303CDS-T1-GE3-VB
絲印: VB2355
品牌: VBsemi
封裝: SOT23
溝道類型: P—Channel
最大電壓(VDS): -30V
最大電流(ID): -5.6A
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
門極閾值電壓(Vth): -1V

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **溝道類型:** P—Channel,表示這是一種P溝道MOSFET。
2. **最大電壓(VDS):** -30V,指示器件可以承受的最大漏極-源極電壓。
3. **最大電流(ID):** -5.6A,表明器件可以承受的最大漏極電流。
4. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,這是在不同門極電壓下的導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的漏極-源極電阻。
5. **門極閾值電壓(Vth):** -1V,是使器件進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的最大門極電壓。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SI2303CDS-T1-GE3-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),通常用于功率開關(guān)和調(diào)節(jié)應(yīng)用。由于其小型封裝和低導(dǎo)通電阻,適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的電路。

**應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. **電源開關(guān)模塊:** 在電源開關(guān)電路中用于控制電源的開關(guān),提高電源的效率。
2. **電池管理模塊:** 適用于電池供電的設(shè)備,以實(shí)現(xiàn)有效的電池管理和節(jié)能。
3. **LED照明驅(qū)動(dòng)模塊:** 在LED照明系統(tǒng)中,用于開關(guān)LED燈的電源控制。
4. **電機(jī)控制模塊:** 可用于小型電機(jī)的控制,如風(fēng)扇、馬達(dá)等。

**作用:**
在這些模塊中,SI2303CDS-T1-GE3-VB的作用主要是作為電源開關(guān)或調(diào)節(jié)器,控制電流流動(dòng),實(shí)現(xiàn)模塊的開關(guān)和調(diào)節(jié)功能。它可以幫助提高電路的效率,降低功耗,同時(shí)保持緊湊的設(shè)計(jì)。

**使用注意事項(xiàng):**
1. **最大額定值:** 不要超過(guò)器件規(guī)格中指定的最大電流和電壓值。
2. **靜電防護(hù):** 在處理和安裝器件時(shí),請(qǐng)采取靜電防護(hù)措施,以防止靜電放電對(duì)器件造成損害。
3. **散熱:** 對(duì)于高功率應(yīng)用,需要適當(dāng)?shù)纳?,以確保器件在正常工作溫度下運(yùn)行。
4. **應(yīng)用電路設(shè)計(jì):** 在設(shè)計(jì)電路時(shí),請(qǐng)參考廠家提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)和應(yīng)用筆記,確保正確的電源和控制電路。

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