--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
VBsemi AOD414-VB MOSFET 參數(shù):
- 封裝:TO252
- 溝道類型:N—Channel
- 最大電壓:30V
- 最大電流:100A
- RDS(ON):2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:1.9V

應用簡介:
該 MOSFET 適用于高電流、低電壓的應用,常用于電源開關、電機驅動和功率管理電路。N—Channel溝道類型使其在負載開關和電源管理中表現(xiàn)出色。
使用領域模塊:
1. 電源開關:作為高電流開關元件,用于電源系統(tǒng)。
2. 電機驅動:在低電壓條件下,用于電機控制和驅動電路。
3. 功率管理電路:用于高電流、低電壓的功率管理應用。
作用:
1. 提供高電流、低電壓條件下的優(yōu)越性能。
2. 適用于需要高功率開關的電源系統(tǒng)。
3. 在電機控制和驅動電路中實現(xiàn)可靠的功率開關。
使用注意事項:
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以避免損壞設備。
2. 在設計中考慮適當?shù)纳岽胧?,以確保器件在額定工作溫度下穩(wěn)定運行。
3. 避免超過最大額定電流和電壓,以防止設備過載。
4. 在使用過程中,注意靜電防護,避免損壞敏感元件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V