--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO220封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi SPP80P06P-H-VB**
**詳細參數(shù)說明:**
- 類型: P溝道場效應(yīng)管 (P-Channel MOSFET)
- 額定電壓(VDS): -60V
- 最大電流(ID): -50A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): 19mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.96V
- 封裝: TO220

**應(yīng)用簡介:**
該器件適用于高功率、中電流應(yīng)用,特別是在以下領(lǐng)域模塊中發(fā)揮作用:
1. **電源模塊:**
- 用于高功率電源模塊,提供高效能源轉(zhuǎn)換。
2. **電機驅(qū)動:**
- 在電機控制模塊中,用于高功率電機驅(qū)動。
3. **電源逆變器:**
- 適用于大型逆變器,如工業(yè)級逆變器。
**使用領(lǐng)域:**
- 工業(yè)電子
- 高功率電源系統(tǒng)
- 高功率電機控制
**作用:**
- 提供高電流承載能力
- 降低功率損耗
- 在高功率系統(tǒng)中實現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換
**使用注意事項:**
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊中的建議工作條件操作。
2. 注意閾值電壓的特定值,確保在設(shè)計中考慮這一參數(shù)。
3. 確保散熱設(shè)計足夠,以防止過熱。
4. 在設(shè)計中考慮電流和電壓的極限,以避免器件受損。
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