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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPB120N04S4-02-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應用分析

型號: IPB120N04S4-02-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**IPB120N04S4-02-VB**

**絲?。?* VBL1402  
**品牌:** VBsemi  
**參數(shù):** TO263;N—Channel溝道, 40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=1~3V  

**封裝:** TO263  

**詳細參數(shù)說明:**  
- **溝道類型:** N—Channel  
- **最大承受電壓:** 40V  
- **最大電流:** 180A  
- **導通電阻:** 2mΩ(在VGS=10V時),2mΩ(在VGS=20V時)  
- **閾值電壓:** 1~3V  

**應用簡介:**  
該器件為 N—Channel MOSFET,適用于需要控制正向電流的高電流應用,如電源開關和電機驅(qū)動。

**作用:**  
- 控制正向電流,適用于需要 N—Channel 溝道的高電流模塊。
- 在電源開關和電機驅(qū)動等領域中發(fā)揮關鍵作用。

**使用領域模塊:**
1. **電源開關模塊:** 用于構(gòu)建可靠的正向電流開關電路,確保電源系統(tǒng)正常運行。
2. **電機驅(qū)動模塊:** 適用于需要高電流控制的電機驅(qū)動系統(tǒng)。

**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制:** 注意器件工作時的溫度,避免過熱。
3. **閾值電壓選擇:** 根據(jù)應用需求選擇適當?shù)拈撝惦妷骸?/p>

如有需要進一步了解或有其他問題,請告訴我。

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