--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**HM70P04K-VB 詳細參數(shù)說明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型號:** HM70P04K-VB
- **絲?。?* VBE2412
- **封裝:** TO252
- **類型:** P-Channel 溝道 MOSFET
- **電壓等級:** -40V
- **電流等級:** -65A
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **門源電壓閾值(Vth):** -1.6V

**應(yīng)用簡介:**
HM70P04K-VB 是一款 TO252 封裝的 P-Channel 溝道 MOSFET。具有負電壓(-40V)和高電流容量(-65A),適用于高功率電子模塊。
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源模塊:** 用于反激式電源和穩(wěn)壓器,提供高效率的電源轉(zhuǎn)換。
2. **電機控制:** 作為電機驅(qū)動器的一部分,實現(xiàn)對高功率電機的有效控制。
3. **開關(guān)電路:** 用于高功率的開關(guān)電路,如開關(guān)電源和逆變器。
**作用:**
- 提供高效率的電源轉(zhuǎn)換。
- 實現(xiàn)對高功率電機的有效控制。
- 在高功率的開關(guān)電路中使用,支持開關(guān)電源和逆變器。
**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的電壓和電流限制,以免損壞器件。
2. **散熱:** 在高功率應(yīng)用中,需要適當(dāng)?shù)纳岽胧?,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
3. **防靜電措施:** 在處理和安裝過程中采取防靜電措施,以防止靜電放電對器件造成損害。
以上為簡要說明,具體的設(shè)計和應(yīng)用需根據(jù)具體模塊和電路要求進行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12