--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi CES2336-VB**
- **絲?。?* VB1695
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- 封裝:SOT23
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓:60V
- 額定電流:4A
- 靜態(tài)漏極電阻(RDS(ON)):85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):1~3V

**產(chǎn)品說明:**
VBsemi CES2336-VB是一款N-Channel溝道類型的功率MOSFET,具有60V的額定電壓和4A的額定電流。其低靜態(tài)漏極電阻(RDS(ON))表明在不同的電壓條件下具有較低的導(dǎo)通電阻。閾值電壓(Vth)在1~3V之間,適合各種電壓控制的應(yīng)用。
**應(yīng)用簡介:**
適用于SOT23封裝的CES2336-VB MOSFET可在多種應(yīng)用中發(fā)揮作用,包括但不限于:
1. **電源管理模塊:** 由于其高電壓和電流特性,可用于電源管理模塊,如穩(wěn)壓器和開關(guān)電源。
2. **驅(qū)動模塊:** 作為N-Channel MOSFET,適用于電機控制和其他驅(qū)動模塊。
3. **LED照明:** 適用于LED驅(qū)動電路,提供高效的電流控制。
4. **電池保護:** 可用于電池管理模塊,確保電池充放電過程中的高效性能。
**舉例:**
在電源管理中,CES2336-VB可以用于開關(guān)電源的功率開關(guān),提供高效率的能量轉(zhuǎn)換。在LED照明中,它可以用于調(diào)光電路,通過調(diào)整閾值電壓實現(xiàn)對LED亮度的有效控制。在電機驅(qū)動中,可用于電機控制模塊,確保在各種負載條件下的高效能量轉(zhuǎn)換。
請注意,具體應(yīng)用需根據(jù)實際電路要求進行設(shè)計和驗證。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12