型號：G3J14-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
封裝：SOT23
參數(shù)：
- 溝道類型：P—Channel
- 最大漏極電壓：-30V
- 最大漏極電流：-5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：Vth = -1V
應用簡介：
G3J14-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel溝道類型SOT23封裝場效應晶體管，具有卓越的性能和穩(wěn)定性。以下是其詳細參數(shù)說明和典型應用場景：
詳細參數(shù)說明：
- 溝道類型：P—Channel，適用于負載開關和電源管理。
- 最大漏極電壓：-30V，確保在一定電壓范圍內(nèi)可靠工作。
- 最大漏極電流：-5.6A，適用于中等功率的電源管理需求。
- 靜態(tài)漏極-源極電阻：RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，低導通電阻確保高效的能量轉(zhuǎn)換。
- 閾值電壓：Vth = -1V，確保在適當?shù)碾妷簵l件下工作。
應用領域：
1. 電源逆變器：適用于太陽能逆變器、電動車充電器等。
2. 電源開關：作為負載開關，在電源管理電路中控制電流流動。
3. 電源管理模塊：在需要高效、可靠電源管理的場合，如便攜式電子設備、通信設備等。
G3J14-VB的卓越性能使其成為各種電源管理模塊的理想選擇，為不同領域的電子設備提供高性能的電源解決方案。
