銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示了
2022-10-17 09:29:59
14081 一、試驗的目的和意義 1、 電介質(zhì)又稱絕緣介質(zhì)，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場的作用下，總會流過一定的電流，以發(fā)熱的形式產(chǎn)生能量損耗。在電壓的作用下，電介質(zhì)中產(chǎn)生的損耗稱為介質(zhì)損耗。如果介質(zhì)損耗很多
2023-09-24 15:14:403946 
干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結構
2024-01-20 10:24:5616123 
`1.介質(zhì)損耗因數(shù)的定義 絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下,電介質(zhì)中的部分電能將轉(zhuǎn)變成熱能,這部分能量稱為電介質(zhì)損耗,介質(zhì)損耗因數(shù)一般用正切值tanδ表示。電介質(zhì)損耗由電導損耗、游離損耗和極化損耗三部
2020-09-21 21:55:48
定義變量假設介質(zhì)的相對電介質(zhì)常數(shù)和相對磁導率分別為：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i則有：材料 1 復數(shù)介電常數(shù)-實部：epsr1_r = 4材料 1 復數(shù)
2019-05-21 06:06:05
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
AR增強現(xiàn)實技術解讀
2021-01-26 06:29:13
發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導損耗”。由于實際的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場或交變電場作用下都會發(fā)生漏導損耗。
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2025-04-21 10:49:27
工藝。也可采用扁平線工藝來構建設計的產(chǎn)品堅固耐用，適用于惡劣環(huán)境，提供FEP全氟共聚物絕緣，僅提供導體或絕緣基，不同導線可以有最大3倍的外徑差異，導體間距可變最大寬度為76.20毫米(3英寸);更可
2024-08-12 11:12:42
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導致對于氮化硅使用干法刻蝕技術。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
嗨，我正在嘗試使用兩種材料定義基板，如附圖所示，用于ADS EM仿真。據(jù)我所知，我需要為此定義電介質(zhì)通路，但我想知道是否有人可以建議如何完成。非常感謝，Mojtaba編輯：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數(shù)字處理技術的發(fā)展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強技術，帶寬增強技術可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術是如何實現(xiàn)的，實用中對信號測量會有
2018-04-03 10:34:04
隨著示波器帶寬需求的不斷提升和數(shù)字處理技術的發(fā)展，示波器里越來越多地采用了帶寬增強技術，帶寬增強技術可以在相同硬件成本的情況下提供更高的帶寬。那么，這種技術是如何實現(xiàn)的，實用中對信號測量會有
2018-04-04 09:17:01
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機械結構的干法刻蝕技術濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
金屬化技術
原理
在電介質(zhì)膜上，鍍上很薄的金屬層，如果電介質(zhì)
出現(xiàn)短路，金屬鍍層會因此而揮發(fā)并將短路的地
方隔離開來。
2008-07-17 10:20:15
27 周期介質(zhì)膜壓縮光柵中的導模共振效應:使用禍合波法以及特征矩陣法計算了周期膜堆結構以及介質(zhì)壓縮光柵的本征值，研究了介質(zhì)型壓縮光柵產(chǎn)生導模共振現(xiàn)象的條件，并計算了導
2009-10-26 16:52:3212 文章對于第三代短波ALE（快速鏈路建立）進行了研究，對其中的關鍵技術進行了討論.并在美軍3G-ALE 標準的基礎上，根據(jù)短波信道的傳播特性，針對窄帶接收的短波快速跳頻通信
2010-01-27 11:56:1522 新型鍍膜技術實現(xiàn)高性能介質(zhì)膜光學元件
2010-12-28 17:12:010 品詳情：Agilent 16451B精確測量與評估電介質(zhì)材料，與ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術，將被測材料夾于兩電極間形成電容
2024-06-19 17:29:46
描述Agilent 16451B測量與評估電介質(zhì)材料，與ASTM D150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術，將被測材料夾于兩電極間形成電容器。然后使用LCR表或抗阻分析儀測量由夾具
2024-09-04 15:37:03
Agilent16451B 電介質(zhì)材料測試夾、、商品詳情：Agilent 16451B精確測量與評估電介質(zhì)材料，與ASTM d150兼容。Agilent 16451B采用平行極板技術，將被測材料夾于
2024-11-18 17:34:34
CH21型金屬化復合介質(zhì)膜電容器
CH21 型金屬化復合膜介質(zhì)電容器采用金屬化復合膜卷繞而成，樹脂浸涂包封，單向引出，具有電容量穩(wěn)定、溫度系數(shù)小的特點，適用于精密儀
2009-08-21 17:25:091000 鍍復SiO2膜的電容器介質(zhì)膜
成功一種能在幾百小時連續(xù)沉積SiO2膜的新穎電子束蒸發(fā)裝置，獲國家發(fā)明專利，在此基礎上
2009-12-08 09:03:32917 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。后柵極又稱為可替換柵極(以下簡稱
2012-05-04 17:11:518073 
比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結構中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進制程進一步微縮。
2013-06-26 09:37:041526 全球領先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司已經(jīng)推出微波電纜組件，其中利用了Temp-Flex?空氣電介質(zhì)（air-dielectric）超低損耗（ultra-low-loss）柔性微波同軸電纜
2013-07-25 11:41:483190 某項目在進行ESD測試當中，當靜電槍靠近塑膠機器浮地產(chǎn)品的外殼進行空氣放電時12KV，機器容易死機，重啟或者VDD損壞。本文避重就輕，由EMC的點，來折射出EMC的面與體，我們選擇了材料與器件
2018-05-18 02:19:004392 
本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質(zhì)天線的電感器選定示例。變頻芯片電介質(zhì)天線改變天線的諧振頻率，涵蓋了超過相對帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變?nèi)荻O管來改變頻率，按頻道切換頻率。由于本天線實現(xiàn)了小型化，因此可以采用LQW系列，內(nèi)置于手機終端內(nèi)。
2018-01-13 09:34:0811660 耐高溫聚合物電介質(zhì)材料的發(fā)展歷史、結構特性以及應用研究等方面進行了綜述。重點介紹了耐高溫聚合物電介質(zhì)材料在軌道交通牽引電機、新能源電力設備以及航空航天電氣設備等電工絕緣領域中的應用狀況。最后對耐高溫聚合物
2018-01-15 11:31:350 介電常數(shù)是電介質(zhì)物理里面常見的一物理概念，但是物理意義不是十分清楚，是些書本上說，介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)的束縛電荷的能力，也可表征材料的絕緣性能，介電常數(shù)越大，束縛電荷的能力越強，材料的絕緣性能越好，既然介電常數(shù)越大。
2018-03-07 16:16:33318473 
，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當電介質(zhì)上施加交流電壓時，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測量線路包括一標準回路（Cn）和一被試回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:042820 本文主要介紹了介質(zhì)損耗測試儀工作原理。介質(zhì)損耗測試儀測量方式及原理、介質(zhì)損耗計算公式。在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當電介質(zhì)上
2018-03-20 11:08:2922116 高儲能密度和高可靠性電介質(zhì)儲能材料在各種電力、電子系統(tǒng)中扮演著越來越重要的角色，特別是在高能脈沖功率技術領域有著不可替代的應用。
2018-07-16 11:02:044826 ），Planar fxP，在單一產(chǎn)品平臺上提供0.1微米生產(chǎn)的完整介電路線圖。 Planar fxP采用Trikon專利的Flowfill和Low k Flowfill技術，用于標準和低k金屬間電介質(zhì)
2020-02-14 11:07:442627 電容的電介質(zhì)承受的電場強度是有一定限度的，當被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參與導電，就破壞了絕緣性能，這一現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿。
2019-08-07 17:01:5112466 固體介質(zhì)廣泛用作電氣設備的內(nèi)絕緣，常見的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導體總是需要用固體絕緣材料來支持或懸掛，這種固體絕緣稱為絕緣子，而用于制造絕緣子的固體介質(zhì)有電瓷、玻璃、硅橡膠等。
2019-11-30 16:31:3015677 電介質(zhì)物理學的相關知識，這是做電介質(zhì)材料的基礎，它對各章節(jié)的內(nèi)容根據(jù)教學經(jīng)驗進行了精選，物理圖象和基本概念解釋的清晰透徹。而且內(nèi)容中涉及到了量子力學，統(tǒng)計物理學，熱力學，電動力學，固體物理和半導體科學等.
2020-05-28 08:00:0071 電阻、氧化物漏電、氧化物與半導體間不希望有的損耗介電薄層、多晶硅耗盡層和表面粗糙度等等的影響。減少納米級MOS器件中柵極漏電的迫切需求刺激了用高k電介質(zhì)替代SiON的努力。但是，將高k電介質(zhì)引入生產(chǎn)線將再次引起C-V測量曲線積累區(qū)處的頻率離散。到目前為止，頻率離散的準確來源仍有待討論。
2020-08-13 14:44:001061 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:5811752 
薄膜電容的分類介紹 電介質(zhì)分類 按電介質(zhì)的不同可將薄膜電容器分為以下三種類型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯對苯二酸鹽（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572839 平時所看到的電容器，雖然外表體型很小，但是內(nèi)部卻另有乾坤，現(xiàn)在市場的電容器，大多數(shù)規(guī)格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是內(nèi)部質(zhì)量，而電介質(zhì)作為核心產(chǎn)品原料，它的質(zhì)量和發(fā)揮會直接影響到電容的優(yōu)劣勢。很負責任的告訴各位，對于電介質(zhì)的了解很重要，尤其是注意電介質(zhì)的意外和相關處理方法。
2021-06-17 14:34:131099 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)EVAL-ADMP621-FLEX相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有EVAL-ADMP621-FLEX的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，EVAL-ADMP621-FLEX真值表，EVAL-ADMP621-FLEX管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-31 15:00:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)EVAL-ADMP521-FLEX相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有EVAL-ADMP521-FLEX的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，EVAL-ADMP521-FLEX真值表，EVAL-ADMP521-FLEX管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-31 17:00:04
與發(fā)展現(xiàn)狀，重點討論了導熱填料、界面相容、成型工藝對材料導熱系數(shù)的影響，最后結合導熱聚酰亞胺復合電介質(zhì)材料未來發(fā)展的需要，對研究中存在的一些關鍵科學技術問題進行了總結與展望。
2022-11-11 15:13:573923 陶瓷電容器是以陶瓷材料為電介質(zhì)的電容器的總稱。品種繁多，尺寸差異很大。按電壓可分為高壓、中壓、低壓陶瓷電容器。根據(jù)溫度系數(shù)，介電常數(shù)可分為負溫度系數(shù)、正溫度系數(shù)、零溫度系數(shù)、高介電常數(shù)和低介電常數(shù)
2023-03-08 14:40:008153 
工業(yè)網(wǎng)絡通信新概念及FLEX產(chǎn)品介紹
2023-03-08 10:57:123482 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，國科大杭州高等研究院物理與光電工程學院邵建達教授工作室和浙江大學光電學院沈偉東教授課題組聯(lián)合提出一種基于全電介質(zhì)緊湊薄膜結構的計算重構微型光譜儀。
2023-04-27 15:36:292298 
電介質(zhì)材料快速且高效的導熱散熱已成為影響電子設備發(fā)展的關鍵問題。傳統(tǒng)聚酰亞胺本征導熱系數(shù)較低，限制了在電氣設備、智能電網(wǎng)等領域中的應用，發(fā)展新型高導熱聚酰亞胺電介質(zhì)
2022-09-15 10:26:336329 
對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 10:22:563034 
一、電介質(zhì)的損耗 介質(zhì)損耗是指絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導和介質(zhì)極化的滯后效應，在其內(nèi)部引起的能量損耗。介質(zhì)損耗也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。表征某種絕緣材料的介質(zhì)損耗，一般不用W或J等單位來表示
2023-09-24 16:08:319559 一、電介質(zhì)的電導 電介質(zhì)的電導可分為離子電導和電子電導，離子電導以離子為載流體，電子電導以自由電子為載流體。 1、離子電導 實際工程上所用的電介質(zhì)多少含有一些雜質(zhì)離子，這些離子與電介質(zhì)分子聯(lián)系非常弱
2023-09-26 16:47:534423 在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:0010325 
電介質(zhì)是能夠被電極化的絕緣體。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。
2023-11-10 09:33:031251 
信號如何在無限大的導電介質(zhì)中傳播
2023-11-24 16:06:161798 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:421233 
?Discharge），通常指電氣設備中部分區(qū)域的電介質(zhì)在電場作用下發(fā)生的非貫穿性放電現(xiàn)象，它往往是絕緣劣化和電氣故障的先兆。 要理解局部放電，就得知道什么是電介質(zhì)。在電力系統(tǒng)中，電介質(zhì)是一種用于隔離電流、防止短路的材料。電纜中的電介質(zhì)通常是
2024-04-09 18:37:501041 近日，ROHM亮相第十九屆汽車燈具產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術論壇暨上海國際汽車燈具展覽會（簡稱ALE），展出了包括LED驅(qū)動器、高耐壓MOSFET在內(nèi)的多種產(chǎn)品及各類車燈解決方案。
2024-07-17 15:46:372104 
原理、工藝和應用場景上有所不同。 濕法刻蝕 濕法刻蝕是利用化學溶液（如氫氧化鈉、氫氟酸等）與PDMS發(fā)生化學反應，從而去除PDMS材料的一種方法。該方法通常在常溫或加熱條件下進行，刻蝕速率和深度可以通過溶液濃度、溫度和刻蝕時間
2024-09-27 14:46:431079 由中韓電介質(zhì)材料及其應用會議委員會主辦，寧波大學與桂林理工大學共同承辦的“第七屆中韓電介質(zhì)材料及其應用會議”將于2024年10月18日-21日在浙江寧波-開元名都大酒店召開，屆時Aigtek安泰電子
2024-10-10 08:00:22837 
主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應離子的電子回旋共振等離子體刻蝕（ECR）和電感耦合等離子體刻蝕（ICP）。
2024-10-18 15:20:413335 
一下！ 濕法刻蝕是一種利用化學反應對材料表面進行腐蝕刻蝕的微納加工技術，廣泛應用于半導體、光學器件和生物醫(yī)學等領域。 濕法刻蝕的步驟包括以下內(nèi)容： 準備工作 準備刻蝕液和設備：刻蝕液通常為酸性或堿性溶液，根據(jù)待加
2024-12-13 14:08:311390 ????? ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的，均是自限性反應，一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每個循環(huán)只沉積一層原子，ALE是每個循環(huán)只刻蝕
2024-12-20 14:15:091780 
本文介紹了什么是原子層刻蝕（ALE, Atomic Layer Etching）。 1.ALE 的基本原理：逐層精準刻蝕? 原子層刻蝕（ALE）是一種基于“自限性反應”的納米加工技術，其特點是以單
2025-01-20 09:32:431280 
ALD 和 ALE 是微納制造領域的核心工藝技術，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補又相輔相成，未來在半導體、光子學、能源等領域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542208 
產(chǎn)業(yè)界之間的學術交流與合作，推動我國電介質(zhì)理論研究、新型電介質(zhì)材料開發(fā)、電介質(zhì)相關元器件應用研究開發(fā)的知識創(chuàng)新、技術創(chuàng)新以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動電子元器件與材料的產(chǎn)學研結
2025-04-22 18:27:521107 
芯片刻蝕是半導體制造中的關鍵步驟，用于將設計圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上，形成電路結構。其原理是通過化學或物理方法去除特定材料（如硅、金屬或介質(zhì)層），以下是芯片刻蝕的基本原理和分類： 1. 刻蝕
2025-05-06 10:35:311972
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