今天的智能手機和平板電腦內(nèi)均裝有射頻前端模塊（FEM），一般包括功率放大器（PA）、開關、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅（RF SOI）等技術可支持移動設備調(diào)整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區(qū)域為無線設備提供持續(xù)強勁且清晰的網(wǎng)絡連接。
　　移動市場對RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因為它以高性價比實現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關鍵作用。
　　對于RF芯片制造商而言，RF SOI為RF前端設計中帶來了芯片設計和集成的優(yōu)勢。相比其他缺乏規(guī)模性和集成能力的昂貴技術，該技術對于RF前端模塊解決方案可謂是低成本的最佳選擇。此外，RF SOI將多個RF元件集成到一個單一芯片上，不占用電路板的寶貴空間，從而為設計師提供了設計靈活性。
　　這種集成可以減少芯片數(shù)量，縮小移動應用尺寸，有助于手機制造商設計出更簡單的射頻模塊，同時具備客戶所期望的先進功能。與其他技術相比，在RF前端應用使用RF SOI技術將為移動設備帶來同等或更好的線性度和更低的插入損耗，也就意味著延長電池壽命，減少電話掉線，提高數(shù)據(jù)傳輸速率。
　　
　　憑借創(chuàng)新的射頻架構，SOI提供革新RF前端和WAN RFSOCs的強大性能
　　更多好消息將令RF市場參與者們?nèi)杠S不已。FD-SOI等技術的獨特屬性和性能將促進RF電路創(chuàng)新，硅技術將會實現(xiàn)前所未有的集成水平。FDSOI的低電壓運行和良好偏壓功能是其中的關鍵，對Vdd的動態(tài)控制以及良好偏壓技術不僅能夠降低整體功耗，還能優(yōu)化RF線路運行，而體硅技術難以與之比肩。
　　在設計復雜的片上系統(tǒng)（SoC）時，該技術的另一個優(yōu)勢是集成多功能，能夠縮小尺寸和簡化包裝，并更具成本效益；而在能耗方面，它可提高物聯(lián)網(wǎng)應用的效率，因此十分切合市場的經(jīng)濟性需求，并能實時應對不斷變化的網(wǎng)絡挑戰(zhàn)。雖然這些新興標準（如5G網(wǎng)絡）尚需若干年才能成熟，但我們已經(jīng)看到，諸如FDSOI/ RFSOI等新技術在解決以低能耗實現(xiàn)高速/帶寬系統(tǒng)難題時所展現(xiàn)的優(yōu)勢已引起了廣泛矚目。
　　毋庸置疑，我們的網(wǎng)絡需求將節(jié)節(jié)攀升，基礎通訊網(wǎng)絡將比以往任何時候都顯得重要，市場正迫不及待地需要更高速度。移動世界的號角已經(jīng)響起，對于設備制造商和組件設計者們而言，現(xiàn)在正是充分利用RF SOI技術的設計靈活性、強大功能和供應（產(chǎn)量保證）的最佳時機。
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