資料介紹
概述
HMC1001是一維磁阻微電路,是一個單邊封裝(SIP)的磁場傳感器,感應(yīng)與管腳方向平行的磁場。
HMC1002是兩維磁阻微電路,是封裝在小型集成電路封裝(SOIC)的雙磁場傳感器。兩個傳感器的敏感方向互相垂直。傳感器A感應(yīng)與外封裝長邊方向平行的磁場,傳感器B感應(yīng)與外封裝長邊方向垂直且與表面平行的磁場。
在外磁場的作用下,磁阻的變化引起輸出電壓(OUT+和OUT-)的變化,并直接表示磁場的強度。由于器件本身不需聚磁器,所以不會導(dǎo)致遲滯和非重復(fù)性。芯片內(nèi)置有霍尼韋爾專利的電流帶,不需要外部線圈。
傳感由四個800-900歐姆的磁阻臂組成惠斯通電橋,在±2Oe的范圍內(nèi)具有靈敏度為2.6mV/V/Oe的線性輸出,電橋的噪聲密度在1Hz以上為25nV/Hz.。傳感器的工作電壓為0—10V。電橋輸出的差分放大受橋路的失調(diào)電壓影響。當(dāng)工作電壓為8V時,無外磁場作用下的失調(diào)電壓通常為-10—25mV。
除了磁阻電橋電路之外,傳感器內(nèi)有有一個磁耦合電流帶可進(jìn)行多種模式的操作。磁場偏置電流帶(OFFSET+和OFFSET-)上每通過50mA的電流。相當(dāng)于在與敏感軸交叉的方向上提供1Oe的磁場。另一種用法是在偏置電流帶上提供反饋信號電流,傳感器工作在閉環(huán)模式下。
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