資料介紹
內(nèi)存研究的趨勢是開發(fā)一種新的存儲器,稱為非易失性 RAM,它結合了 RAM 的快速讀取與大容量存儲器的海量內(nèi)存的特點。有很多新儲存單元方案,例如,F(xiàn)eRAM(鐵電儲存器),ReRAM(電阻儲存器),MRAM(磁阻儲存器),STT-MRAM (自旋轉(zhuǎn)矩磁阻儲存器),PCM(相變存儲器)。這些類型的儲存器是以使用不同的物理原理改變材料傳導性為基礎。例如,在電介質(zhì)材料層中一根細線的形成或破壞,材料結構由非晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Щ蚺c磁場一直。在本應用案例中,我們介紹如何使用脈沖發(fā)生器測試 STT-MRAM 儲存單元。MRAM 儲存單元使用磁性隧道結(MTJ)儲存數(shù)據(jù),MTJ 由薄氧化層隔離開的兩塊電磁鐵構成,如果兩塊電磁鐵的磁場指向同一方向,電子可以通過絕緣層從一個電磁鐵傳導到另一個電磁鐵。第一塊電磁鐵具有固定的磁場,第二塊電磁鐵的方向可以通過電流脈沖改變,所以轉(zhuǎn)換磁場方向就可以改變疊片的傳導性。為了寫入或者擦除一比特數(shù)據(jù),需要在疊片中通過一個電流脈沖;磁場的假設方向取決于電流脈沖方向。寫入或者擦除的效率取決于脈沖的持續(xù)時間和幅度,所以在此項技術的研究和探索階段,測試不同脈寬和幅度的組合是非常有用的,一個簡單的實現(xiàn)方法是使用一臺脈沖發(fā)生器,市面上一般的脈沖發(fā)生器都支持脈寬、幅度、重復頻率可
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