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摘要 利用Cl2/BCl3/CH4電感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蝕端面。在此基礎(chǔ)上制作出寬接觸的刻蝕端面AlGaInAs/AlInAs激光器,實(shí)現(xiàn)了室溫脈沖激射,其閾值電流和微分量子效率與傳統(tǒng)的解理端面激光器基本相當(dāng)。并通過刻蝕端面與解理端面激光器特性的比較(包括電流2電壓、電流2輸出光功率以及遠(yuǎn)場特性),分析了刻蝕端面的引入對激光器特性的影響。
關(guān)鍵詞 激光技術(shù);刻蝕端面激光器;AlGaInAs;Cl/BCl/CH;感應(yīng)耦合等離子體
關(guān)鍵詞 激光技術(shù);刻蝕端面激光器;AlGaInAs;Cl/BCl/CH;感應(yīng)耦合等離子體
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