資料介紹
利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移后的垂直結構GaN藍光LED的電學性能、發(fā)光性能和結構性能明顯改善,光輸出功率顯著提高.垂直結構LED的GaN層受到的張應力比同側結構LED小.
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