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      發(fā)光器件與位錯結(jié)構(gòu)LED的介紹及硅基光電集成器件研究進(jìn)展

      2017-09-30 | rar | 0.3 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　隨著器件結(jié)構(gòu)與制作工藝的不新創(chuàng)新與完善。硅基發(fā)光器件已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)室溫下的有效工作，外量子效率可達(dá)到0.1%：低功耗的硅基高速調(diào)制器件的調(diào)制速率達(dá)到1GHZ以上;而硅基光探測器對1300mm與1550mm波長的探測響應(yīng)度也已分別達(dá)到了0.16mA/W 和0.08mA/W.文章對硅基光電器件的研究進(jìn)展情況進(jìn)行了概述，并著重對幾種器件的結(jié)構(gòu)及工作原理進(jìn)行了分析。

      　　發(fā)光器件

      　　由于硅為間接帶隙半導(dǎo)體，在載流子的復(fù)合過程中非輻射復(fù)合占絕對優(yōu)勢，因此單晶硅本身不能制成有效的發(fā)光器件’ 然而通過摻雜或引入應(yīng)力的方法，可以改變材料的能帶結(jié)構(gòu)，從而為硅基發(fā)光器件提供了實(shí)現(xiàn)的可能’ 目前對硅基發(fā)光器件的研究主要集中在可見光和紅外兩個領(lǐng)域（ 在可見光領(lǐng)域，一般通過采用多孔硅超晶格、納米硅等結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)硅的能帶結(jié)構(gòu)的改善，而在紅外領(lǐng)域， 等材料受到較多的關(guān)注（ 然而從工藝實(shí)現(xiàn)的角度來講，這些材料的制備或多或少都不能與現(xiàn)有的成熟微電子工藝兼容，因此為光電器件的單片集成帶來了一定的困難（ 而下面介紹的兩種硅基發(fā)光器件利用標(biāo)準(zhǔn)的微電子工藝制作，較好的解決了工藝兼容性問題，從而使得器件的單片集成成為可能。

      發(fā)光器件與位錯結(jié)構(gòu)LED的介紹及硅基光電集成器件研究進(jìn)展

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