資料介紹
L ED 微顯示器件作為一種全固體的主動(dòng)發(fā)
光器件,具有工作電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度
快、性能穩(wěn)定可靠、工作溫度范圍寬等許多優(yōu)
點(diǎn)[1 ,2 ] 。自1998 年德國(guó)亞琛工業(yè)大學(xué)采用濕法腐
蝕方法在Al Ga InP 發(fā)光芯片上制作發(fā)光二極管
陣列的初步研究以來(lái)[3 ] , L ED 微顯示器件的研究
取得了突破性進(jìn)展。2001 年,美國(guó)堪薩斯州立大
學(xué)利用L ED 陣列技術(shù)研制出具有InGaN/ GaN
量子阱結(jié)構(gòu)、像素直徑為12 μm 的10 ×10 藍(lán)色
微型半導(dǎo)體陣列顯示器件[4 ] 。2004 年,英國(guó)斯特
拉思克萊德大學(xué)利用干法刻蝕工藝制作出了藍(lán)色
GaN 發(fā)光二極管陣列[ 5 ] ,因采用ICP 刻蝕技術(shù),
所研制的發(fā)光二極管陣列與常規(guī)方法相比具有更
好的光學(xué)、電學(xué)性能和更高的一致性。L ED 陣列
技術(shù)意味著可以在很小的面積上集成很多發(fā)光像
素,并且可以采用成熟的陣列尋址方式驅(qū)動(dòng)器件
工作,因此L ED 微顯示器是具有產(chǎn)業(yè)化前景的研
究方向。

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