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晶體管是依靠輸入電流變化來控制輸出電流的器件，但理想的放大器是不應(yīng)該損耗信號(hào)源的輸出電流的，所以在一個(gè)由晶體管構(gòu)成的放大電路中，因?yàn)橛谢鶚O電流的存在，不可避免地會(huì)對(duì)輸入信號(hào)帶來損耗。與晶體管不同的是，場效應(yīng)晶體管（FET）是一種用電壓來控制電流的器件，具有很高的輸入阻抗，且溫度穩(wěn)定性好、噪聲低。按照結(jié)構(gòu)的不同，場效應(yīng)晶體管可以分為以下兩類：
1. 結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
N型溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管
P型溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管
2. 絕緣柵型場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管（N溝道、P溝道）
耗盡型MOS場效應(yīng)晶體管（N溝道、P溝道）
絕緣柵型場效應(yīng)晶體管在實(shí)際應(yīng)用中多見增強(qiáng)型MOS管，N型溝道的簡稱為“NMOS”，P型溝道的簡稱為“PMOS”，絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的外觀如圖所示。
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