STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能線系列采用高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核，高速嵌入式內(nèi)存（閃存高達(dá)512 KB，SRAM高達(dá)64 KB），以及連接到兩個(gè)APB的大量增強(qiáng)I/O和外圍設(shè)備公共汽車。所有設(shè)備都提供三個(gè)12位ADC、四個(gè)通用16位定時(shí)器和兩個(gè)PWM定時(shí)器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口：最多兩個(gè)I2C、三個(gè)SPI、兩個(gè)I2S、一個(gè)SDIO、五個(gè)USART、一個(gè)USB和一個(gè)CAN。STM32F103xC/D/E高密度性能線系列在-40到+105°C的溫度范圍內(nèi)工作，從2.0到3.6 V電源。一套全面的節(jié)能模式允許設(shè)計(jì)低功耗應(yīng)用程序。f1s/xc系列高密度的應(yīng)用，如便攜式打印機(jī)、便攜式打印機(jī)、便攜式打印機(jī)等視頻對(duì)講機(jī)和暖通空調(diào)。

　　STM32F103xC/D/E高密度性能線系列提供六種不同封裝類型的設(shè)備：從64引腳到144引腳。根據(jù)所選設(shè)備的不同，包括不同的外圍設(shè)備集，下面的描述給出了該系列中建議的所有外圍設(shè)備的概述

　　STM32F103xC/D/E是一個(gè)完整的系列，其成員完全是針對(duì)針、軟件和功能兼容的。在參考手冊(cè)中，STM32F103x4和STM32F103x6被標(biāo)識(shí)為低密度器件，STM32F103x8和STM32F103xB被稱為中密度器件，而STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE被稱為高密度器件。低密度和高密度設(shè)備是STM32F103x8/B中密度設(shè)備的擴(kuò)展，它們分別在STM32F103x4/6和STM32F103xC/D/E數(shù)據(jù)表中指定。低密度設(shè)備具有更低的閃存和RAM容量、更少的定時(shí)器和外圍設(shè)備。高密度設(shè)備具有更高的閃存和RAM容量，以及更多的外圍設(shè)備，如SDIO、FSMC、I2S和DAC，同時(shí)保持與家族其他成員的完全兼容。STM32F103x4、STM32F103x6、STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE是STM32F103x8/B設(shè)備的一個(gè)替代品，允許用戶嘗試不同的內(nèi)存密度，并在開(kāi)發(fā)周期中提供更大的自由度。此外，STM32F103xx性能線系列完全兼容所有現(xiàn)有的STM32F101xx接入線和STM32F102xx USB接入線設(shè)備。