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The TOSHIBA TLP250 consists of a GaAlAs light emitting diode and a
integrated photodetector.
This unit is 8?lead DIP package.
TLP250 is suitable for gate driving circuit of IGBT or power MOS FET.
? Input threshold current: IF=5mA(max.)
? Supply current (ICC): 11mA(max.)
? Supply voltage (VCC): 10?35V
? Output current (IO): ±1.5A (max.)
? Switching time (tpLH/tpHL): 1.5μs(max.)
? Isolation voltage: 2500Vrms(min.)
? UL recognized: UL1577, file No.E67349
? Option (D4) type
VDE approved: DIN VDE0884/06.92,certificate No.76823
Maximum operating insulation voltage: 630VPK
Highest permissible over voltage: 4000VPK
integrated photodetector.
This unit is 8?lead DIP package.
TLP250 is suitable for gate driving circuit of IGBT or power MOS FET.
? Input threshold current: IF=5mA(max.)
? Supply current (ICC): 11mA(max.)
? Supply voltage (VCC): 10?35V
? Output current (IO): ±1.5A (max.)
? Switching time (tpLH/tpHL): 1.5μs(max.)
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